北京國聯萬眾半導體科技有限公司是中國電科產業基礎研究院下屬子公司。公司位于北京市順義區文良街15號，占地面積2.81萬平方米，建筑面積7.1萬平方米。公司主營業務為第三代半導體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設計、生產與銷售。國聯萬眾擁有一批從事核心材料、芯片、封裝等領域的專業人才和團隊，擁有核心專利和專有技術，氮化鎵射頻功放芯片達到國際領先水平，并已在世界主流通信公司得到規模應用；碳化硅二極管和MOSFET產品技術水平國際先進水平，并已在新能源汽車上開始批量應用。

公司同時擁有國家“雙創”支撐平臺、眾創空間、中關村硬科技孵化平臺、北京市科技企業孵化器等資質，是國家第三代半導體創新技術中心（北京）主要建設和運營單位。主要業務為第三代半導體工藝、封裝檢測、可靠性檢測以及科技服務。