1.工藝開發與優化：負責8/12英寸硅基及SiC晶圓減薄工藝開發，優化研磨、拋光（CMP）參數（壓力、轉速、溫度等）；第三代半導體（SiC/GaN）減薄技術攻關，開發低應力加工方案，提升良率至99%以上。 2.設備與量產支持：參與減薄設備（如雙面減薄機、CMP設備）的調試與工藝適配，解決量產中的厚度偏差、崩邊等異常問題。 3. 建立工藝窗口控制規范（DOE/PCP），編寫設備操作SOP及故障排查指南。 4.技術協同與創新：協同機械/電氣團隊完成設備核心模塊（如在線檢測、自動化傳輸）的工藝驗證，推動國產化替代方案落地。 5.客戶與數據分析：支持頭部客戶的工藝需求定制，輸出技術驗證報告及量產導入方案。